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电阻在MOS电路中留悦博体育娱乐意事项及参考选择要领

文章出处:网络整理 人气:发表时间:2021-07-16 01:59

mos管栅极电阻的浸染
mos管栅极简介

在相识mos管栅极电阻的浸染之前,我们先相识一下mos管栅极及其他2个极的基本常识。场效应管按照三极管的道理开拓出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,悦博体育,它的特点是栅极的内阻极高,回收二氧化硅质料的可以到达几百兆欧,属于电压节制型器件。场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由大都载流子参加导电,也称为单极型晶体管。它属于电压节制型半导体器件。


MOS管三个极判定

1.判定栅极G

MOS驱动器主要起波形整形和增强驱动的浸染:如果MOS管的G信号波形不足陡峭,在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副浸染是低落电路转换效率,MOS管发热严峻,易热损坏MOS管GS间存在必然电容,如果G信号驱动本领不足,将严峻影响波形跳变的时间.

将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。若发明某脚与其字两脚的电阻均呈无限大,而且互换表笔后仍为无限大,则证实此脚为G极,由于它和别的两个管脚是绝缘的。 


2.判定源极S、漏极D

将万用表拨至R×1k档别离测量三个管脚之间的电阻。用互换表笔法测两次电阻,个中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。因为测试前提差异,测出的RDS(on)值比手册中给出的典范值要高一些。


3.测量漏-源通态电阻RDS(on)

在源-漏之间有一个PN结,因此按照PN结正、反向电阻存在差别,可识别S极与D极。譬喻用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典范值)。


mos管栅极电阻的浸染


mos管栅极电阻的浸染详解

mos管栅极电阻的浸染


在此mos管电路中,在其栅极处毗连了两个电阻,R38,R42。


mos管栅极电阻的浸染-电阻R38:

1:减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般0.1欧姆可能更低)。


2:若不加R38电阻,高压环境下便会因为mos管开关速率过快而导致周围元器件被击穿。但R38电阻过大则会导致MOS管的开关速率变慢,Rds从无穷大到Rds(on)的需要颠末一段时间,高压下Rds会耗损大量的功率,而导致mos管发烧异常。


mos管栅极电阻的浸染-R42电阻:

1:作为泄放电阻泄放掉G-S的少量静电,防备mos管发生误行动,甚至击穿mos管(因为只要有少量的静电便会使mos管的G-S极间的等效电容发生很高的电压),起到了掩护mos管的浸染。


2:为mos管提供偏置电压


电阻在MOS管电路中留意事项及参考选择要领

MOS管驱动电阻怎么选择,给定频率,MOS管的Qg和上升沿怎么计较用多大电阻首先得知道输入电容巨细和驱动电压巨细,等效为电阻和电容串联电路,求出电容充电电压表达式,得出电阻和电容电压干系图MOS管的开关时间要思量的是Qg的,而不是有Ciss,Coss抉择,看下面的Data.


一个MOS大概有很大的输入电容,可是并不代表其导通需要的电荷量Qg就大,Ciss(输入电容)和Qg是有必然的干系,可是还要思量MOS的跨导y.


泄放电阻和栅极电阻有什么区别?


场效应管栅极与源极之间加一个电阻,这个电阻起到什么浸染?


一是为场效应管提供偏置电压;二是起到泻放电阻的浸染:掩护栅极G-源极S;


第一个浸染好领略,这里表明一下第二个浸染的道理——掩护栅极G-源极S:场效应管的G-S极间的电阻值是很大的,这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两头发生很高的电压,假如不实时把这些少量的静电泻放掉,他两头的高压就有大概使场效应管发生误行动,甚至有大概击穿其G-S极;这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉,从而起到了掩护场效应管的浸染。


mos管栅极电阻的浸染


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